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第476章 层闪存芯片（第1页）

第二天。

常乐和曾熙返回江州，然后马不停蹄转道去了长宁。

抵达长宁，没有惊动地方，直奔长宁存储。

刚下车，看见长宁存储cEo杨永宁、coo高启明，迈着轻快步伐大步跑来。

两人脸上都洋溢着激动、兴奋的神色。

常乐问两位：“介绍一下？”

杨永宁和高启明同时点头。

杨永宁先说：

“老板，基于xtacking架构的128层qLc3dNANd闪存研发成功……”

“而且，已经通过群联、联芸两家控制器厂的SSd系统验证。”

“我们计划今年年底正式量产，推向市场。”

高启明接着说：

“另外，128层tLc规格的闪存芯片，也同时研发成功，这表明我们领先了全世界。”

qLc与tLc是常见的存储芯片类型。

两者运用于不同的场景。

区别就在于，每一个存储单元能够存储的位数不同。

qLc芯片，每个存储单元可以存储四个比特。

tLc芯片，每个存储单元可以存储三个比特。

所以qLc的存储密度比tLc更高，但是耐久性不行。

一般，qLc应用于小容量场景，如家用的固态硬盘；

而tLc应用于大容量场景，如数据中心的服务器。

常乐、曾熙听完两人的介绍，很高兴。

在EUV面世、国内高端芯片面临无法生继续迭代和生产的关键时刻……

闪存芯片领先全球，是一个振奋人心、提振士气的消息。

曾熙问道：“其他技术大厂的研发进程是什么情况？”

高启明回答：“目前，基本停留在96层技术上，部分厂96层还未进入量产。”

“三星已经大规模量产第五代V-NANd存储芯片，堆叠层数96层。”

“美光最近遭受晋华、联电的反诉，后者认为美光的产品专利侵权。”

“据悉，当前的证据对镁光极为不利，镁光可能采取场外手段反制。”

“他们目前只能量产64层3dtLcNANd芯片，96层芯片还在研发，计划今年年底推出。”

“东芝存储已经改名铠侠，他们也已经成功研发96层3dNANdFLASh芯片，但是也没有量产。”