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第422章 euv难度更大（第2页）

Smee和ASmL一样，都是系统组合商。

核心技术聚焦设备组合，而不是设备研发。

介绍完且相互认识之后，众人一同来到会议室。

依次坐定，常乐说：

“首先，要感谢各位八年来的不懈努力和辛勤付出。”

“因为你们的砥砺奋进、守望相助，国产光刻机才能在如此短的时间内，实现Krf光刻到ArFi光刻的三级跳，取得了历史性突破。”

“但是，现在还不是我们庆功的时候。”

“新的挑战就在眼前，站在技术迭代的关键十字路口，下一步我们该怎么走，还需要再确定、再出发。”

掌声！

常乐说完这几句话，问何融明：“何总，目前Asml那边EUV光刻机什么进展？”

“据我们所知，应该已经完成原型机研发，但离真正上市商用，还需要时间，具体时间不确定。”何融明说。

“那这么说，我们和Asml的差距不大了？”常乐继续问。

“嗯……单单产品方面看，差距确实不大，甚至我们还更有优势。”何融明解释道：

“但是从技术和产品积累看，我们要走的路还有很长。”

“因为他们研发Euv，走了22年，必然遇到我们想都想不到的问题。这些问题，接下来我们都会遇到。”

“嗯。”常乐点头，继续问：“何总，从duv跨越到Euv难点在哪里？”

“难点很多，光源、物镜、工作台等等都是非常关键的环节点。”何融明说：

“老板，要不这样，让在座的企业负责人介绍一下？术业有专攻，他们更专业，也更容易解释清楚。”

“行。”常乐点头。

于是，启尔电机负责人先发言：

“常总，何总，我先说说吧。”

“好。”

“首先感谢常总、何总这些年，对启尔电机的关心和支持，没有SmEE的资金支持和帮助，启尔电机不可能走到上市前夜。”

“什么时候上市？”常乐问。

“12月。”

“那我们之前买的那些股票要值钱了。”

“哈哈……”

短暂笑过，启尔电机负责人开始正式介绍情况：

“启尔电机主要为duvArFi光刻提供浸没系统。”

“通过浸没系统和光的折线效应，实现了193纳米到134纳米的等效波长，Arf光刻推进到Arfi光刻才成为可能。”

浸没系统，就是将镜片与硅片之间的空间，浸入特殊液体中。

由于液体折射率大于1，能够使193纳米波长光源缩短至134纳米，从而实现更高分辨率。

也顺带，将光刻工艺节点从45纳米推进到14纳米、10纳米。